你或許沒注意到，手里的小米、OPPO、榮耀或聯想手機能充電快、續航久，背后其實藏著一個“科技小秘密”——氮化鎵功率半導體。“氮化鎵”是第三代半導體材料，具有高效率、耗的特性。憑借這項“黑科技”，英諾賽科順利得到小米、OPPO、榮耀、聯想等客戶的青睞。

近日，英諾賽科向資本市場發起沖刺，正式向港交所遞交了《招股書》。不僅如此，英諾賽科還是全球排名第一的氮化鎵功率半導體公司（按2023年收入計算）。

英諾賽科背后的靈魂人物是曾任美國宇航局（NASA）首席科學家的駱薇薇。她于2017年回國創業，帶領公司在7年內獲得了超過60億元的融資，連寧德時代董事長曾毓群也參與了個人投資。如今，英諾賽科估值已達到235億元，一躍成為蘇州的“獨角獸”公司。

盡管光環加身，但英諾賽科的財務表現卻不盡如人意，過去三年累計虧損達67億元，同時還面臨“全球汽車半導體巨頭”英飛凌的專利訴訟壓力。在萬眾矚目中，英諾賽科的IPO能否化危為機，創造新的資本故事？

小米、OPPO為客戶

公司三年虧損67億元

氮化鎵是做什么的？氮化鎵不僅讓手機充電速度更快、充電器更小巧，還大幅提升了電動汽車的續航能力。此外，它也可以延長智能音箱、攝像頭等智能家居設備的使用壽命。

因此，氮化鎵正在成為芯片、半導體行業內的關注焦點。半導體材料為芯片的基礎，在經歷了第一代硅材料和第二代砷化鎵材料的革新后，第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）出現。

在這波浪潮中，2017年，專注于氮化鎵的公司——英諾賽科成立。其擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，月產1萬片晶圓，并且是全球首家實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產的公司。

圖源：罐頭圖庫

在消費電子領域，英諾賽科還與小米、OPPO、vivo、榮耀、聯想等知名品牌合作。此外，公司也進入了電動汽車和自動駕駛領域，推出了100V車規級氮化鎵器件，用于激光雷達、汽車電壓轉換等場景。

目前，英諾賽科的產品線涵蓋氮化鎵分立器件/集成電路、氮化鎵晶圓、氮化鎵模組。2023年，這三大業務的收入占比相對均衡，分別為1.92億元、2.09億元和1.9億元，占營收的比例均為30%以上。

圖源：《招股書》

具體看，在2022年以前，英諾賽科并沒有模組收入。直到2023年，寧德時代成為英諾賽科的第一大客戶，模組業務才實現了從0到1.9億元的變化，其占營收的比例為32.1%。

在寧德時代的“加持”下，到2023年，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體領域排名第一（按2023年收入計算），市場占有率達到33.7%。

報告期內，英諾賽科營收持續增長。2021年至2023年，公司營收分別為6821.5萬元、1.36億元和5.93億元。

凈利潤方面，雖然英諾賽科的虧損正在不斷收窄，但仍未實現盈利。2021年至2023年，公司凈利潤分別為-34億元、-22.01億元和-11.03億元，累計虧損達67.04億元。

對此，英諾賽科表示，持續虧損原因在于生產設備大幅折舊、大額研發開支、銷售及營銷開支較大等原因。

具體看，2021年至2023年，公司的銷售及營銷開支分別為2840萬元、6930萬元、9010萬元。而研發開支正在呈逐年下降態勢。《招股書》顯示，2021年至2023年，英諾賽科的研發開支分別為6.62億元、5.81億元和3.49億元，占營收的比重分別為970.02%、426.73%、58.84%，也呈持續下降態勢。

與兩大巨頭打“專利戰”

誰動了誰的奶酪？

在國內，擁有小米、OPPO、vivo、榮耀、聯想、寧德時代等客戶的同時，根據《招股書》可知，英諾賽科也在加速布局海外市場，計劃在海外設立研發和生產中心，同時建立銷售中心，進一步拓展國際業務。為了搶占海外市場，公司組建了63人的團隊，專門針對國際知名客戶展開重點拓展工作。

截至2023年年底，英諾賽科在全球擁有約700項專利和專利申請，涵蓋了芯片設計、器件結構、晶圓制造等核心技術。據科技創新和知識產權信息服務商 “智慧芽”數據顯示，公司目前擁有270項發明專利，其中涉及美國地區的專利有99個，占比約36.67%。這也引起了國際巨頭的警惕。

圖源：智慧芽

美國的宜普公司（下稱“EPC”）和德國的英飛凌，兩家公司均指控英諾賽科侵犯了其在氮化鎵（GaN）功率器件領域的專利。

具體看，英諾賽科和EPC的 “戰役”可以追溯到2023年5月，EPC向美國法院和國際貿易委員會（ITC）同時發起訴訟，指控英諾賽科侵犯了它的四項核心專利，并要求賠償和禁令。

這四項專利涉及氮化鎵功率器件的核心技術，不過經過一番較量，EPC主動撤回了其中兩項專利的指控，但編號為“8350294”（下稱“294”）和“8404508”（下稱“508”）的專利依然在審查中。

據“專利數據庫”顯示，294專利涉及的是補償柵極的MISFET（金屬絕緣半導體場效應晶體管），而508專利更為關鍵，涉及增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）。

英諾賽科在《招股書》中專門提及到，公司專有的高散熱封裝技術就是為氮化鎵高電子遷移晶體管（HEMT）而設計，解決了其平面結構以及緊湊尺寸和高功率密度帶來的挑戰。該技術創造了一種專為氮化鎵 HEMT量身定制的獨特而高效的散熱解決方案。

也就是說，若508的專利被訴侵權，英諾賽科專有的高散熱封裝技術可能會受影響。

此外，關于專利209的技術，一位在頭部半導體設計公司工作的技術員劉鵬表示，補償柵極的MISFET（金屬絕緣半導體場效應晶體管）及其制造方法對提升氮化鎵晶體管的功率密度、開關速度和散熱性能至關重要。

圖源：專利數據庫

不止于此，EPC在上訴中還指控英諾賽科從自己手里“挖走”了兩名員工，這兩名員工后來成為英諾賽科的首席技術官和銷售總監。兩人加入英諾賽科后，推出了與EPC關鍵性能指標幾乎相同的產品，甚至聲稱“完全兼容”EPC的技術，并積極向EPC的客戶推銷。

對此，英諾賽科于2024年5月26日在官方公眾號上發布聲明稱，EPC公告中的陳述與事實嚴重不符，此舉為EPC為破壞英諾賽科的競爭優勢而采取的非法競爭手段。此外，兩位前EPC人員入職英諾賽科屬于半導體行業的正常人員流動，且該兩位員工從未在英諾賽科擔任首席技術官(CTO)或類似職務。

圖源：英諾賽科 公眾號

2024年7月，美國ITC初步裁定，英諾賽科未侵犯“508”專利，但確實在“294”部分專利上存在侵權行為。

對此，康瑞律師事務所吳貴明律師表示，判斷技術人員跳槽是否構成商業秘密侵權，首先要判斷涉及的商業秘密是否成立，也即涉案的技術與經營信息是否符合不為公眾所知、具有商業價值且采取了保密措施這三項條件。然后再看是否相關技術人員跳槽帶走了這些技術信息并應用于后一企業。實際上，中國在半導體領域的發展一直都面臨著國外技術封鎖的挑戰。據新媒體“洞察3C前沿”報道稱，中國在高端芯片的制造工藝上仍然依賴國外先進的光刻機和EDA設計軟件；以及芯片制造的關鍵材料，如光刻膠和硅片，大部分仍需進口。

而半導體技術就像是我們生活中的“隱形發動機”，看似不起眼，卻在各類電子設備中無處不在。從你每天用的手機、筆記本，到汽車的智能系統，再到醫院的先進醫療設備，半導體芯片都扮演著關鍵角色。沒有這些小小的芯片，我們連享受的超快充電體驗也會大打折扣。

京銘資本董事長劉翔也表示：“前兩代半導體材料已經達到物理極限，想要突破，必須依靠氮化鎵等第三代新材料。”

圖源：罐頭圖庫

而英諾賽科的麻煩還不止來自EPC，德國巨頭英飛凌也向它發起了專利訴訟。

2024年3月，英飛凌（奧地利子公司）在美國加州北區法院提起訴訟，稱英諾賽科侵犯了它的專利號為“US9899481”的專利，該專利涉及一種橫向晶體管裝置和具有源感應功能的軟件包。

據新媒體“企業專利觀察”報道，在起訴書中，英飛凌詳細地描述了英諾賽科相關產品技術與英飛凌方的相似性，并給出對比圖示。

圖源：起訴書

6月4日，英飛凌又向德國慕尼黑地方法院提起相應專利訴訟。慕尼黑地方法院則在6月12日發布了初步禁令，命令英諾賽科不得在紐倫堡的“PCIM Europe 2024”展會上展示涉侵權產品。

英諾賽科對此回應稱，禁令僅限于展會活動，并不會影響其他銷售。

英飛凌進一步“加大火力”，2024年7月23日，其將起訴的專利數量從1項增加至4項，新增專利號分別為US8686562、US9070755、US8264003，分別為耐火金屬氮化物封端電觸點及其制作方法、具有高漏極指端的晶體管、合并共源共柵晶體管。

2024年8月3日，英諾賽科再次公開表示：“英飛凌的相關指控缺乏依據，其涉案專利不具備有效性，因此，相關訴訟不會對英諾賽科的現有產品銷售和正常經營產生影響。”

盡管這些專利糾紛在全球市場引發了不少關注，但英諾賽科在《招股書》中表示，公司很有可能在每起知識產權訴訟中取得有利結果，此類法律訴訟不太可能對業務運營及財務表現產生重大不利影響。

不過，背后的風險還是不可忽視。公司表示，這些訴訟尚處于初期階段，如果判決不利，公司可能會被禁止生產或銷售侵權產品及/或責令支付金錢賠償。

而《招股書》顯示，2021年-2023年，公司經營活動所用現金凈額分別為-5.62億元、-9.36億元及-5.94億元。

圖源：《招股書》

從業務上看，英諾賽科的產品雖然主要銷往國內市場，但在海外市場的營收占比也在逐年上升。《招股書》顯示，英諾賽科在硅谷、首爾和比利時等地設立了子公司，到2023年，英諾賽科的海外市場收入從2021年的20萬元增長到5800萬元，營收占比從0.3%上升至9.8%。

吳貴明律師表示，如果美國ITC最終確認英諾賽科侵犯了專利權，英諾賽科可能會面臨在美國市場的銷售禁令、產品扣押等國際貿易限制，也即其產品無法進入美國市場。由于專利保護具有地域性，如果只是在美國被判定侵權并禁售，而在中國或其他國家沒有相關判決，英諾賽科依然可以在中國或其他國家正常銷售這些產品。北京德和衡律師事務所高級聯席合伙人房寶盛律師表示，如果英諾賽科的核心技術被判定侵權，可能會影響公司IPO計劃。除此之外，其在海外市場的拓展上也會更加困難。被認定侵權后，會讓其他持有類似專利的實體（比如其他半導體公司）也提起專利侵權訴訟、或鼓舞其在已提起訴訟中的期望值，這種連鎖反應容易導致其在更多的發達國家面臨專利法律風險，并可能導致更多的市場難以進入。

中國企業資本聯盟中國區首席經濟學家柏文喜也表示，負面新聞可能會損害公司的國際形象，使得潛在客戶和合作伙伴對英諾賽科的信任度下降。在某些情況下，敗訴還可能導致與客戶的合同違約，進一步影響公司的財務狀況和市場地位。

NASA首席科學家回國創業

被曾毓群押注

英諾賽科的故事背后，是一位女科學家回國創業的故事。

公司創始人駱薇薇現年54歲。她獲得新西蘭梅西大學應用數學博士學位后，在NASA工作了15年，從高級項目經理一路晉升至首席科學家。不過，駱薇薇卻不滿足于現狀。2015年底，她憑借對第三代半導體行業的敏銳洞察，毅然回國創業。

2017年，英諾賽科在她的帶領下成立。

在她的團隊中，精英云集。根據《招股書》可知，CEO吳金剛是中國科學院蘭州化學物理研究所的物理化學博士，曾擔任中芯國際(688981.SH）的技術研發副總裁。

CFO鐘山目前負責公司財務管理及投融資工作。在加入英諾賽科之前，鐘山曾在健康元藥業集團（600380.SH）擔任多個職務，自2020年起還擔任思摩爾國際（6969.HK）的獨立非執行董事。2024年5月，鐘山被任命為英諾賽科的執行董事。

圖源：罐頭圖庫

在這幾位“大佬”的帶領下，英諾賽科迅速崛起。截至2023年底，公司擁有397名研發人員，并完成了五輪融資。吸引了朗瑪峰創投、招銀國際、華業天成、鈦信資本、中天匯富、國民創投和毅達資本等知名投資方，此外，蘇州、深圳和珠海的地方產業基金也為公司注入了重要支持。

2024年4月，英諾賽科完成了E輪融資，融資金額為6.5億元，公司投后估值達235億元，合計五輪融資金額超過60億元。

最引人注目的莫過于英諾賽科股東名單中的一位重量級個人投資者——寧德時代董事長曾毓群。2021年，曾毓群以個人名義向英諾賽科投資2億元，這是他首次以個人身份投資半導體公司。

2023年4月，曾毓群將其持有的股份無償轉讓給了配偶洪華燦，目前洪華燦持有英諾賽科1.78%的股權。按照E輪估值計算，這筆投資已經實現了翻倍增長。

目前，駱微微直接或間接控制公司約34.48%的股權。

隨著英諾賽科沖刺IPO，這家由NASA首席科學家駱薇薇創辦的半導體公司，已經站上了資本市場的風口浪尖。面臨虧損和專利戰的挑戰，這匹半導體領域的“黑馬”能否在資本市場上，跑出一份漂亮的成績單呢？