近日，半導體晶圓片及芯片研發(fā)商英諾賽科完成近30億元D輪融資，本輪融資由鈦信資本領投，毅達資本、海通創(chuàng)新、中比基金、賽富高鵬、招證投資等機構(gòu)跟投。鈦信資本作為本輪領投方，本輪出資6.5億，占比超過20%，也是投資金額最大的投資人。

鈦信資本創(chuàng)始人高毅輝表示：“氮化鎵作為一種新型半導體材料，是一個嶄新的領域，也是為數(shù)不多與國外差距不大、我國最有可能實現(xiàn)彎道超車的領域之一，市場前景非常廣闊。英諾賽科是氮化鎵領域全球龍頭，在團隊、技術、產(chǎn)能、客戶等方面都已達到領先的位置。英諾賽科由原美國宇航局（NASA）科學家駱薇薇博士帶隊，聚集了來自全球知名半導體企業(yè)的氮化鎵領域全球頂尖人才，具備豐富的研發(fā)、建廠、制造（工藝）和運營經(jīng)驗。公司成立不久就建成中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線，目前已經(jīng)開始實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，產(chǎn)能國內(nèi)第一，還在持續(xù)快速爬升，公司客戶開拓進展也遠領先于競爭對手。隨著氮化鎵應用市場迎來快速增長，我們非常看好公司的成長潛力，將以充足的支持助力其全面發(fā)展。”

英諾賽科（蘇州）科技有限公司于2015年成立，是第三代半導體硅基氮化鎵領域全球龍頭，也是全球唯一實現(xiàn)同時量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。英諾賽科技術處全球第一梯隊，產(chǎn)能國內(nèi)第一，消費級市場中快充產(chǎn)品已領先于市場快速放量，未來數(shù)據(jù)中心、5G基站、新能源汽車等市場將持續(xù)接力構(gòu)成公司增長曲線。

英諾賽科是躋身全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊的國產(chǎn)半導體企業(yè)代表，是硅基氮化鎵領域全球龍頭。英諾賽科通過自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，同時填補了國內(nèi)在該領域的空白。在非常短的時間內(nèi)，英諾賽科打破了美國技術壟斷，實現(xiàn)了國產(chǎn)氮化鎵芯片的崛起。根據(jù)Trendforce 2021年數(shù)據(jù)，英諾賽科氮化鎵功率產(chǎn)品全球市場占有率一舉攀升至20%，躍升為全球第三，排名僅次于納微、PI。

目前，英諾賽科是全球唯一實現(xiàn)同時量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的半導體企業(yè)，高壓快充產(chǎn)品出貨已達數(shù)千萬顆，低壓產(chǎn)品成功取代了某電源管理技術世界領先供應商產(chǎn)品，成為中國領先的激光雷達企業(yè)禾賽科技的供應商。此外，英諾賽科還與小米、OPPO、比亞迪、安森美、MPS等國內(nèi)外廠商開展應用開發(fā)合作。