近日，DigiTimes報(bào)道，華為首家晶圓廠選址湖北武漢，計(jì)劃將在2022年開(kāi)始分階段投產(chǎn)。知情人士表示，該廠早在2017、2018年左右就籌備建造，早于美國(guó)對(duì)華為打壓前，只是近期剛剛建成。

該廠房位于武漢光谷中心，總建筑面積超過(guò)20萬(wàn)平方米，該廠未來(lái)主要為華為生產(chǎn)自研的磷化銦光通信芯片及模組，此類(lèi)芯片主要應(yīng)用于華為的光通信業(yè)務(wù)，而華為光系統(tǒng)設(shè)備份額目前全球第一。

2019年華為披露的《華為投資控股有限公司2019年度第一期中期票據(jù)募集說(shuō)明書(shū)》顯示，華為擬注冊(cè)中期票據(jù)200億元，首期擬發(fā)行30億元，為期3年。在該募集說(shuō)明中，包括武漢海思工廠項(xiàng)目，總投資為18億元。

華為為何要在武漢建磷化銦產(chǎn)線？

獲悉，華為這個(gè)芯片制造廠并非大眾關(guān)注的硅基芯片制造廠，而是化合物半導(dǎo)體芯片廠。

常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料以物理性能區(qū)分為三代，第一代是以硅、鍺為代表，第二代以磷化銦為代表，第三代則以氮化鎵、碳化硅為代表。每一代材料根據(jù)其特性有各自擅長(zhǎng)的使用場(chǎng)景。

磷化銦因?yàn)楸裙琛⑸榛壍炔牧暇哂懈叩碾姽廪D(zhuǎn)換效率、高的電子遷移率、高的工作溫度、以及強(qiáng)抗輻射能力的特點(diǎn)，在一些領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。“比如激光器、太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器和光纖網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、通訊、雷達(dá)等超高速的半導(dǎo)體電路上”，一位資深人士向AI財(cái)經(jīng)社補(bǔ)充到。

而以通信起家的華為，在2012年起，就以收購(gòu)兩家國(guó)外公司的方式，進(jìn)入了光通信芯片領(lǐng)域。資料顯示，華為的光系統(tǒng)設(shè)備份額全球第一，任正非還透露華為目前掌握著全球領(lǐng)先的800G光芯片技術(shù)。

同時(shí)，武漢光谷一直以來(lái)就是國(guó)內(nèi)光電領(lǐng)域的橋頭堡，不少產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的公司都在此落戶。根據(jù)公開(kāi)資料顯示，此前華為海思的磷化銦實(shí)驗(yàn)室就設(shè)立在此地。對(duì)于該廠將來(lái)訂單從哪找，一位業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)華為自己就能消耗掉，比如它的基站和手機(jī)都會(huì)用到。

建該條產(chǎn)線是否存在挑戰(zhàn)？

相比手機(jī)上用的Soc芯片，光通信芯片的工藝要求不高。業(yè)內(nèi)資深人士對(duì)AI財(cái)經(jīng)社表示，磷化銦產(chǎn)線在設(shè)備和技術(shù)上不存在特別大的問(wèn)題。目前國(guó)內(nèi)磷化銦芯片一般采用2英寸、3英寸生產(chǎn)線，線寬在0.5微米以上。相比之下，像手機(jī)芯片、消費(fèi)類(lèi)芯片通常采用8英寸、12英寸生產(chǎn)線，線寬在0.25微米以上。“對(duì)光刻機(jī)的要求也不高。”

另一位業(yè)內(nèi)人士抱有類(lèi)似看法，他稱(chēng)硅基6英寸產(chǎn)線淘汰下來(lái)的設(shè)備就可以讓磷化銦的產(chǎn)線運(yùn)轉(zhuǎn)起來(lái)。

但這并不意味著磷化銦的產(chǎn)線目前就完全自主。一位熟悉第二代、第三代半導(dǎo)體的學(xué)者對(duì)AI財(cái)經(jīng)社透露，目前國(guó)內(nèi)磷化銦制造主要卡在材料上，準(zhǔn)確的說(shuō)，在單晶制備技術(shù)上。他解釋?zhuān)@是由于制備高質(zhì)量的磷化銦單晶，需要能使單晶批量化生長(zhǎng)的技術(shù)，目前主流的技術(shù)有高壓液封直拉法（LEC）、垂直溫度梯度凝固法 （VGF）和垂直布里奇曼法（VB）。

目前該技術(shù)節(jié)點(diǎn)仍然由美國(guó)、日本企業(yè)把持著。美國(guó) AXT 公司和日本住友分別使用 VGF 和 VB 技術(shù) 可以生長(zhǎng)出直徑 150mm 的磷化銦單晶，日本住友使用 VB 法制備的直徑 4 英寸摻 Fe 半 絕緣單晶襯底可以批量生產(chǎn)，并且已經(jīng)進(jìn)入到6英寸襯底的競(jìng)爭(zhēng)中。而國(guó)內(nèi)由于起步晚，磷化銦制備技術(shù)與國(guó)際水平仍有較大差距，還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能自給，“大尺寸磷化銦晶片生產(chǎn)能力不足”。有關(guān)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，上游襯底市場(chǎng)由5個(gè)主要國(guó)外玩家為主，包括日本住友、日本能源、美國(guó) AXT、法國(guó) InPact、英國(guó) WaferTech 等占據(jù)了全球近 80%的市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)市占率不足2%。