近日獲悉，毅達(dá)資本完成對(duì)滁州華瑞微電子科技有限公司（以下簡稱：華瑞微）的A輪投資。

華瑞微電子董事長劉海波表示，本次融資將主要用于第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目。該項(xiàng)目已經(jīng)順利落戶安徽省滁州市南譙經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，也是南京市浦口區(qū)與滁州市南譙區(qū)簽署跨界一體化發(fā)展示范區(qū)合作框架協(xié)議后的首個(gè)項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資10億元，主要承擔(dān)第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)SiC MOSFET生產(chǎn)線。

毅達(dá)資本項(xiàng)目負(fù)責(zé)人鐘曄表示，第三代化合物半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、工業(yè)電源等高端領(lǐng)域，相信華瑞微第三代化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目的建成投產(chǎn)將助力國內(nèi)高端功率器件持續(xù)健康發(fā)展。同時(shí)，該項(xiàng)目的順利實(shí)施，將對(duì)南京、滁州兩地的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，推動(dòng)兩地進(jìn)一步補(bǔ)齊補(bǔ)強(qiáng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)核心競爭力，打造未來發(fā)展新優(yōu)勢。

華瑞微是一家專注于功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)擁有在中國龍頭晶圓廠近20年的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)管理經(jīng)驗(yàn)，曾參與建設(shè)3座晶圓廠，創(chuàng)辦過芯片設(shè)計(jì)公司。其他核心成員數(shù)十人，也均有十年以上的晶圓廠或功率器件設(shè)計(jì)公司的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)。

作為一家科技創(chuàng)新類集成電路設(shè)計(jì)公司，華瑞微一直在自主設(shè)計(jì)、研發(fā)的道路上默默堅(jiān)守，不斷提高自身的科技核心競爭力。公司通過了國家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定，獲得“江蘇省專精特新（創(chuàng)新類）小巨人企業(yè)”“江蘇省科技型民營企業(yè)”等一系列稱號(hào)，并且和知名高校共建了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室及研究生實(shí)訓(xùn)基地。

SiC是第三代半導(dǎo)體材料，與第一二代半導(dǎo)體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率等性能優(yōu)勢，特別適用于5G射頻器件和高電壓功率器件。體現(xiàn)在產(chǎn)品上面，就是尺寸降低，開關(guān)速度快，功耗相比于傳統(tǒng)功率器件大大降低。例如，在某些應(yīng)用場景下，用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并解決IGBT不能高頻工作的缺陷。

目前，華瑞微的產(chǎn)品正在從消費(fèi)級(jí)功率器件向工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)功率器件邁進(jìn)。超結(jié)MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)穩(wěn)定向充電樁客戶供貨，第三代SiC MOSFET已研發(fā)成功，小批量試產(chǎn)。

據(jù)劉海波介紹，我國雖然是全球最大的功率半導(dǎo)體需求市場，但高端功率器件產(chǎn)品仍然被美、日、歐廠商所主導(dǎo)。在市場需求、政策、資金和技術(shù)多因素催化下，功率半導(dǎo)體在可預(yù)見的將來有望成為國產(chǎn)替代進(jìn)度最快的細(xì)分領(lǐng)域之一。