北一半導體將完成1.5億元B+輪融資，聚焦SiC MOSFET

近日，北一半導體完成B+輪融資，由上海吾同私募基金管理有限公司領投的1億元資金已經到位，另有5000萬元投資金額在結尾工作中，預計本輪融資總額將達到1.5億元。

北一半導體表示，本輪融資資金將主要用于SiC MOSFET技術的進一步研發，以及產線的升級與擴建。

北一半導體將以本次融資為契機，進一步加強技術研發和產業化布局，力爭在第三代sic mosfet領域取得更大的突破和成就。

北一半導體成立于2017年，總部位于深圳市，生產基地位于黑龍江省穆棱市，是一家專注于Si基、SiC基功率半導體芯片及模塊研發、模塊生產、銷售的廠商。北一半導體目前在研產品包括精細溝槽柵IGBT芯片、溝槽柵SiC MOSFET芯片、雙面散熱模塊等，產品廣泛應用于工業變頻、感應加熱、新能源汽車、風電及光伏領域。

在業務方面，北一半導體于2018年成立SiC芯片開發項目組，2023年完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設計。2023年1月，北一半導體新建二期廠房正式全面投入使用。二期占地面積超過12500平米，產能進一步擴大，能夠滿足HPD模塊、IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、SiC模塊大量生產條件。