近日，核力創(chuàng)芯完成首輪2.95億元股權(quán)融資，企業(yè)增值逾13倍，標(biāo)志著核力創(chuàng)芯在功率半導(dǎo)體質(zhì)子輻照領(lǐng)域取得的進(jìn)展和成績(jī)得到資本市場(chǎng)的充分認(rèn)可。

本輪融資吸引了國調(diào)基金、科改基金、建投投資、龍芯資本、成都科創(chuàng)投、無錫錫山產(chǎn)投等資本的積極參與，實(shí)現(xiàn)了“技術(shù)引領(lǐng)資本、資本助力創(chuàng)新、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)技術(shù)”的良性循環(huán)，是集團(tuán)公司核技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)“技-產(chǎn)-融”結(jié)合發(fā)展的一次新突破，將助力核力創(chuàng)芯發(fā)展進(jìn)入新階段。

未來，核力創(chuàng)芯將繼續(xù)以提升功率半導(dǎo)體核心工藝和設(shè)備國產(chǎn)化水平、攻克“中國芯”難題為己任，聚焦核技術(shù)在電力電子、新能源等方面的應(yīng)用，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游深度合作，攜手推進(jìn)我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再攀高峰。

國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司成立于2021年，是國家電投集團(tuán)核技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目——功率芯片質(zhì)子輻照項(xiàng)目的承建單位。

核力創(chuàng)芯突破國外封鎖，以自主技術(shù)、國產(chǎn)部件，成功研制建成我國第一條功率芯片質(zhì)子輻照生產(chǎn)線，經(jīng)輻照的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、FRD（快恢復(fù)二極管）等功率半導(dǎo)體元器件性能指標(biāo)全面達(dá)到國際先進(jìn)水平，補(bǔ)齊了長(zhǎng)期以來我國功率芯片產(chǎn)業(yè)所缺失的高能氫離子注入工藝這一短板，將為我國功率芯片產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展和產(chǎn)業(yè)鏈安全發(fā)揮重要作用。