派恩杰半導(dǎo)體完成戰(zhàn)略融資，東風(fēng)出手！

近日，中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件派恩杰半導(dǎo)體正式宣布完成新一輪戰(zhàn)略融資，投資方為東風(fēng)汽車(chē)旗下直投平臺(tái)東風(fēng)資管。本輪融資完成后，派恩杰半導(dǎo)體將進(jìn)一步深化與東風(fēng)汽車(chē)、嵐圖汽車(chē)等主機(jī)廠的合作，持續(xù)優(yōu)化面向新能源汽車(chē)應(yīng)用的碳化硅解決方案。

派恩杰半導(dǎo)體成立于2018年9月，主營(yíng)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。公司擁有國(guó)內(nèi)最全碳化硅功率器件產(chǎn)品目錄，碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產(chǎn)品覆蓋各個(gè)電壓等級(jí)與載流能力，并且均通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試認(rèn)證。可以滿足客戶的各種應(yīng)用場(chǎng)景，為客戶提供穩(wěn)定可靠的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件產(chǎn)品。派恩杰半導(dǎo)體創(chuàng)始人黃興博士于2009年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計(jì)和研發(fā)。

派恩杰半導(dǎo)體旗下碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電荷，遠(yuǎn)小于硅二極管同類(lèi)產(chǎn)品，并且 SiC SBD可以運(yùn)行在更高的結(jié)溫下。因此，SiC SBD在開(kāi)關(guān)電源中能夠明顯地減少反向恢復(fù)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲，提高開(kāi)關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率，整體功率密度和可靠性。SiC SBD優(yōu)異的特性可以顯著降低電力電子系統(tǒng)的整體成本。

2021年，派恩杰半導(dǎo)體導(dǎo)入世界龍頭電動(dòng)車(chē)廠，并開(kāi)始供貨。2022年，合作海外TOP 充電樁企業(yè)、世界一流激光電源企業(yè)。

目前，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品，量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車(chē)、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用。