之路資本領投，銘鎵半導體完成近億元A輪融資

6月30日，北京銘鎵半導體有限公司（簡稱“銘鎵半導體”）完成近億元A輪融資，本輪融資由之路資本領投，允泰資本、分享投資、駱駝資本跟投。本輪融資將主要用于氧化鎵項目的擴產(chǎn)和研發(fā)。

據(jù)了解，銘鎵半導體成立于2020年，是國內率先專業(yè)從事超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司，專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內較早將半導體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè)之一，為國內外從事氧化鎵后端器件開發(fā)的研究機構和企業(yè)提供上游材料保障。

2012年，日本率先實現(xiàn)2英寸氧化鎵材料的突破，NCT氧化鎵材料尺寸可達到6英寸，而美國Kyma氧化鎵材料尺寸為1英寸。相比來看，銘鎵半導體已經(jīng)突破并逐步穩(wěn)定4英寸技術。“尺寸越大，越適宜量產(chǎn)化，性價比越高，銘鎵半導體氧化鎵在逐步追趕作為頭部企業(yè)的日本NCT，繼續(xù)領先美國Kyma等公司。”銘鎵半導體負責人介紹。

銘鎵半導體的博士研發(fā)團隊來自日本國立佐賀大學、東京大學、清華大學、中國科學院等國內外頂尖高校和科研院所，多位核心產(chǎn)業(yè)成員具備10年以上半導體領域從業(yè)經(jīng)驗，擁有專利技術40余項。

除研發(fā)工藝外，銘鎵半導體還可提供定制化服務，面向全市場開放。2021年，2英寸氧化鎵襯底材料實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，除科研院所研發(fā)之外，還提供給重要的企業(yè)客戶小批量使用，旨在應用氧化鎵功率器件于新能源汽車、工業(yè)電機、固態(tài)能源轉變、國防軍工等多個領域。

目前，布局了氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)全鏈路，擁有國內僅有且完備的涵蓋晶體制備—晶體加工—外延制備—性能檢測—器件設計的標準線。

銘鎵半導體創(chuàng)始人陳政委表示，“我們判斷，2024年前后，氧化鎵會進入一定起量爆發(fā)期，氧化鎵也會成為銘鎵半導體的支柱性業(yè)務。”