之路資本領(lǐng)投，銘鎵半導(dǎo)體完成近億元A輪融資

6月30日，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”）完成近億元A輪融資，本輪融資由之路資本領(lǐng)投，允泰資本、分享投資、駱駝資本跟投。本輪融資將主要用于氧化鎵項(xiàng)目的擴(kuò)產(chǎn)和研發(fā)。

據(jù)了解，銘鎵半導(dǎo)體成立于2020年，是國內(nèi)率先專業(yè)從事超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司，專注于新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內(nèi)較早將半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè)之一，為國內(nèi)外從事氧化鎵后端器件開發(fā)的研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)提供上游材料保障。

2012年，日本率先實(shí)現(xiàn)2英寸氧化鎵材料的突破，NCT氧化鎵材料尺寸可達(dá)到6英寸，而美國Kyma氧化鎵材料尺寸為1英寸。相比來看，銘鎵半導(dǎo)體已經(jīng)突破并逐步穩(wěn)定4英寸技術(shù)。“尺寸越大，越適宜量產(chǎn)化，性價(jià)比越高，銘鎵半導(dǎo)體氧化鎵在逐步追趕作為頭部企業(yè)的日本NCT，繼續(xù)領(lǐng)先美國Kyma等公司。”銘鎵半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人介紹。

銘鎵半導(dǎo)體的博士研發(fā)團(tuán)隊(duì)來自日本國立佐賀大學(xué)、東京大學(xué)、清華大學(xué)、中國科學(xué)院等國內(nèi)外頂尖高校和科研院所，多位核心產(chǎn)業(yè)成員具備10年以上半導(dǎo)體領(lǐng)域從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有專利技術(shù)40余項(xiàng)。

除研發(fā)工藝外，銘鎵半導(dǎo)體還可提供定制化服務(wù)，面向全市場開放。2021年，2英寸氧化鎵襯底材料實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)，除科研院所研發(fā)之外，還提供給重要的企業(yè)客戶小批量使用，旨在應(yīng)用氧化鎵功率器件于新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、固態(tài)能源轉(zhuǎn)變、國防軍工等多個領(lǐng)域。

目前，布局了氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)全鏈路，擁有國內(nèi)僅有且完備的涵蓋晶體制備—晶體加工—外延制備—性能檢測—器件設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)線。

銘鎵半導(dǎo)體創(chuàng)始人陳政委表示，“我們判斷，2024年前后，氧化鎵會進(jìn)入一定起量爆發(fā)期，氧化鎵也會成為銘鎵半導(dǎo)體的支柱性業(yè)務(wù)。”