6月30日，北京銘鎵半導體有限公司（簡稱“銘鎵半導體”）完成近億元A輪融資，本輪融資由之路資本領投，允泰資本、分享投資、駱駝資本跟投。本輪融資將主要用于氧化鎵項目的擴產和研發。

據了解，銘鎵半導體成立于2020年，是國內率先專業從事超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發及應用產業化的高科技公司，專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內較早將半導體氧化鎵材料產業化落地的企業之一，為國內外從事氧化鎵后端器件開發的研究機構和企業提供上游材料保障。

2012年，日本率先實現2英寸氧化鎵材料的突破，NCT氧化鎵材料尺寸可達到6英寸，而美國Kyma氧化鎵材料尺寸為1英寸。相比來看，銘鎵半導體已經突破并逐步穩定4英寸技術。“尺寸越大，越適宜量產化，性價比越高，銘鎵半導體氧化鎵在逐步追趕作為頭部企業的日本NCT，繼續領先美國Kyma等公司。”銘鎵半導體負責人介紹。

銘鎵半導體的博士研發團隊來自日本國立佐賀大學、東京大學、清華大學、中國科學院等國內外頂尖高校和科研院所，多位核心產業成員具備10年以上半導體領域從業經驗，擁有專利技術40余項。

除研發工藝外，銘鎵半導體還可提供定制化服務，面向全市場開放。2021年，2英寸氧化鎵襯底材料實現小批量生產，除科研院所研發之外，還提供給重要的企業客戶小批量使用，旨在應用氧化鎵功率器件于新能源汽車、工業電機、固態能源轉變、國防軍工等多個領域。

目前，布局了氧化鎵材料產業全鏈路，擁有國內僅有且完備的涵蓋晶體制備—晶體加工—外延制備—性能檢測—器件設計的標準線。

銘鎵半導體創始人陳政委表示，“我們判斷，2024年前后，氧化鎵會進入一定起量爆發期，氧化鎵也會成為銘鎵半導體的支柱性業務。”