近日，蘇州晶湛半導體有限公司（“晶湛半導體”）宣布完成數億元B+輪戰略融資，本輪融資由歌爾微電子領投，高瓴創投、惠友資本、創新工場、禾創致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續加碼。

據了解，本次 B+ 輪戰略融資將主要用于晶湛半導體總部和研發中心建設，項目達產后晶湛半導體將建成國際一流、國內首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發生產基地，推動晶湛半導體進入新的發展階段。

創新工場執行董事熊昊表示，氮化鎵（GaN）在功率、射頻、光電領域有廣泛的落地場景，尤其在高頻和高功率領域應用效果特別出色，更可廣泛滲透和推動通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等產業迭代升級，是智能制造不可或缺的關鍵核心器件。未來氮化鎵在各領域的滲透率將快速提升，市場前景廣闊。晶湛半導體擁有全球領先的學術和產業化經驗，是全球最早，也是最頭部的氮化鎵外延技術公司之一。我們相信，在程凱博士的帶領下，晶湛半導體將持續引領技術的進步，通過整合上下游的資源，在功率、射頻和微顯示等終端應用爆發增長的浪潮中，成為產業鏈上核心的氮化鎵器件和材料供應商。

晶湛半導體由硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于 2012 年 3 月回國創辦，坐落于蘇州市工業園區，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地，致力于為電力電子、射頻電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商。

2014 年底，晶湛半導體就率先在全球首次發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，經有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能，填補了國內氮化鎵產業的空白；2021 年 9 月，晶湛半導體又成功全球首發12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業內廣泛關注。

經過多年的專注發展，晶湛半導體已經成為國內 GaN 材料研發和產業化的領軍企業，通過與全球數百家知名半導體科技企業、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業頂級期刊 Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議 IEDM 等發布相關創新成果，引起國際半導體界的廣泛關注和一致好評。

晶湛半導體高度重視自主研發和核心知識產權工作，在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術，擁有完全獨立的自主知識產權，晶湛半導體目前已在國內外累計申請近 400 項專利，其中已獲得超 100 項專利授權。