近日，賽晶科技發布公告稱，公司控股子公司賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司（簡稱“賽晶半導體”）完成A輪融資。

本次融資估值為投后27.2億元，由天津安晶企業管理咨詢合伙企業（有限合伙）、無錫河床潤玉創業投資合伙企業（有限合伙）、無錫河床皓玉創業投資合伙企業（有限合伙）、蘇州亞禾星恒創業投資合伙企業（有限合伙）等4家投資者合計出資1.6億元，占股比例5.88%。本次融資后，賽晶科技持股比例為70.53%。

賽晶半導體管理層表示，本次融資所得資金，將重點用于公司最新的IGBT模塊和SiC模塊生產線建設。其中，廠房內部建設和設備采購已經開始。此外，資金還將用于人才團隊的擴充，以及微溝槽IGBT芯片和 SiC芯片等的研發。

據了解，賽晶半導體致力于打造國際領先水平的IGBT、SiC芯片及模塊。自2019年成立以來，賽晶半導體已經推出的i20系列1200V、1700V IGBT芯片，采用窄臺面、短溝道、3D結構、優化N-型增強層和P+層等多項行業前沿設計，具有大功率、低損耗、高可靠性等特點，在業內處于很高水平。公司已經率先實現在12英寸晶圓代工生產線量產IGBT芯片，為公司面向未來的產能優勢和成本競爭力打下堅實基礎。此外，賽晶半導體已經推出的ED封裝、ST封裝IGBT模塊，采用顯著提升均流性能的“直線型”布局等多項優化設計，并通過工業4.0的全自動智能制造工藝和質量管理實現了優異的產品電氣性能、可靠性、一致性，獲得電動汽車、新能源發電，儲能、SVG及其他工控領域客戶的廣泛認可和批量訂單。

賽晶半導體負責人表示，公司將加快規劃中的第三、四條模塊生產線（分別為一個IGBT模塊和一個SiC模塊生產線）的建設和產能提升。近期，他們將陸續推出兩款車規級產品 – HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊和IGBT模塊，以加強在電動汽車市場的產品布局。此外，公司微溝槽IGBT芯片、SiC MOSFET芯片的研發工作，也已經啟動。此外，他們還將在下半年重點加強國外市場拓展，推動中國制造的高品質半導體走向世界。